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BSC030N03LSGATMA1

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MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON

non conforme

BSC030N03LSGATMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
5,000 $0.47524 -
10,000 $0.45943 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 23A (Ta), 100A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 3mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 55 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 4300 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 2.5W (Ta), 69W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TDSON-8-1
paquet / étui 8-PowerTDFN
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Numéro de pièce associé

SI4894BDY-T1-GE3
IXTA10N60P
IXTA10N60P
$0 $/morceau
G65P06K
G65P06K
$0 $/morceau
IPB80N04S4L04ATMA1
MTB10N40ET4
MTB10N40ET4
$0 $/morceau
FDP6035L
PSMN018-100ESFQ
SI2343DS-T1-E3
SI2343DS-T1-E3
$0 $/morceau
IPP80N06S2L09AKSA2

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