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FDD6680A

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FDD6680A

MOSFET N-CH 30V 14A/56A DPAK

FDD6680A Fiche de données

non conforme

FDD6680A Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $1.41000 $1.41
500 $1.3959 $697.95
1000 $1.3818 $1381.8
1500 $1.3677 $2051.55
2000 $1.3536 $2707.2
2500 $1.3395 $3348.75
209395 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 14A (Ta), 56A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 9.5mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 20 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1425 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 2.8W (Ta), 60W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-252, (D-Pak)
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Numéro de pièce associé

IRF250P225
STF8N90K5
STF8N90K5
$0 $/morceau
IXFK27N80Q
IXFK27N80Q
$0 $/morceau
ATP207-TL-H
ATP207-TL-H
$0 $/morceau
SI4423DY-T1-GE3
FQD2N60TF
AONR36368
R6015KNXC7G
R6015KNXC7G
$0 $/morceau
BSC030N03LSGATMA1

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