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SI4423DY-T1-GE3

SI4423DY-T1-GE3

SI4423DY-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 10A 8SO

SOT-23

non conforme

SI4423DY-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $1.27710 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 20 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 10A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 1.8V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 7.5mOhm @ 14A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 900mV @ 600µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 175 nC @ 5 V
vgs (max) ±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1.5W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Numéro de pièce associé

FQD2N60TF
AONR36368
R6015KNXC7G
R6015KNXC7G
$0 $/morceau
BSC030N03LSGATMA1
SI4894BDY-T1-GE3
IXTA10N60P
IXTA10N60P
$0 $/morceau
G65P06K
G65P06K
$0 $/morceau
IPB80N04S4L04ATMA1
MTB10N40ET4
MTB10N40ET4
$0 $/morceau
FDP6035L

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