Welcome to ichome.com!

logo
Maison

IPD50R650CEBTMA1

IPD50R650CEBTMA1

IPD50R650CEBTMA1

MOSFET N-CH 500V 6.1A TO252-3

non conforme

IPD50R650CEBTMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.46666 -
5,000 $0.44612 -
12,500 $0.43144 -
25,000 $0.41971 -
62,500 $0.40796 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Discontinued at Digi-Key
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 500 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 6.1A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 13V
rds activé (max) à id, vgs 650mOhm @ 1.8A, 13V
vgs(th) (max) à id 3.5V @ 150µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 342 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 47W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TO252-3
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Le chargement du PDF a échoué, vous pouvez essayer de l'ouvrir dans une nouvelle fenêtre pour y accéder [Ouvrir], ou cliquez pour revenir

Numéro de pièce associé

PHB101NQ04T,118
PHB101NQ04T,118
$0 $/morceau
AUIRFS4610
RSS075P03TB1
RSS075P03TB1
$0 $/morceau
SI7403BDN-T1-E3
NVMFS5834NLT3G
NVMFS5834NLT3G
$0 $/morceau
FDC642P-F085
FDC642P-F085
$0 $/morceau
FQB13N10TM
FQB13N10TM
$0 $/morceau
IRF6629TRPBF
IRF3709L
IRF3709L
$0 $/morceau
IRF3709SPBF

Votre partenaire fiable en électronique

Dédié à dépasser vos attentes. IChome : le service client redéfini pour l'industrie électronique.