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IPD80R2K0P7ATMA1

IPD80R2K0P7ATMA1

IPD80R2K0P7ATMA1

MOSFET N-CH 800V 3A TO252-3

compliant

IPD80R2K0P7ATMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.38793 -
5,000 $0.36853 -
12,500 $0.35468 -
25,000 $0.35266 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 800 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 3A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 2Ohm @ 940mA, 10V
vgs(th) (max) à id 3.5V @ 50µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 9 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 175 pF @ 500 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 24W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TO252-3
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Numéro de pièce associé

SI7116DN-T1-GE3
G3R75MT12D
FDMS86581
FDMS86581
$0 $/morceau
PJS6416_S1_00001
NTE4153NT1G
NTE4153NT1G
$0 $/morceau
IAUZ40N06S5N050ATMA1
IPA60R650CEXKSA1
SI7113DN-T1-GE3
SCH1436-TL-W
SCH1436-TL-W
$0 $/morceau
HUF75339S3ST

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