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IPP65R600C6

IPP65R600C6

IPP65R600C6

N-CHANNEL POWER MOSFET

non conforme

IPP65R600C6 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.60000 $0.6
500 $0.594 $297
1000 $0.588 $588
1500 $0.582 $873
2000 $0.576 $1152
2500 $0.57 $1425
1791 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 7.3A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 600mOhm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (max) à id 3.5V @ 210µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 23 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 440 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 63W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur PG-TO220-3-1
paquet / étui TO-220-3
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Numéro de pièce associé

AUIRFP2907
AO6401A
IPT65R195G7XTMA1
SISH617DN-T1-GE3
AON6162
NTHS5443T1
NTHS5443T1
$0 $/morceau
IPT60R050G7XTMA1
HUFA76407D3S
SUD80460E-GE3
SUD80460E-GE3
$0 $/morceau
AOI4S60

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