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IXFN20N120P

IXFN20N120P

IXFN20N120P

IXYS

MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B

SOT-23

non conforme

IXFN20N120P Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
10 $34.22500 $342.25
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 1200 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 20A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 570mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) à id 6.5V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 193 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 11100 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 595W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Chassis Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-227B
paquet / étui SOT-227-4, miniBLOC
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Numéro de pièce associé

FDZ372NZ
NVHL082N65S3F
NVHL082N65S3F
$0 $/morceau
STD3N40K3
STD3N40K3
$0 $/morceau
AOD4N60
APT10026L2LLG
BUK9511-55A,127
BUK9511-55A,127
$0 $/morceau
SUD50P04-08-BE3
DMN62D1LFD-7
IRFHS8242TRPBF
FDC5614P
FDC5614P
$0 $/morceau

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