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APTM100VDA35T3G

APTM100VDA35T3G

APTM100VDA35T3G

MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

non conforme

APTM100VDA35T3G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 1000V (1kV)
courant - consommation continue (id) à 25°c 22A
rds activé (max) à id, vgs 420mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 2.5mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 186nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 5200pF @ 25V
puissance - max 390W
température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Chassis Mount
paquet / étui SP3
package d'appareils du fournisseur SP3
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Numéro de pièce associé

GWM100-01X1-SMD
GWM100-01X1-SMD
$0 $/morceau
VWM200-01P
VWM200-01P
$0 $/morceau
IXTL2X200N085T
IXTL2X200N085T
$0 $/morceau
FDC6301N_G
FDC6301N_G
$0 $/morceau
APTM60A23FT1G
2N7002DWKX-13
FMP76-010T
FMP76-010T
$0 $/morceau
IPG20N04S409AATMA1

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