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TK16J60W,S1VE

TK16J60W,S1VE

TK16J60W,S1VE

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

non conforme

TK16J60W,S1VE Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $4.81000 $4.81
500 $4.7619 $2380.95
1000 $4.7138 $4713.8
1500 $4.6657 $6998.55
2000 $4.6176 $9235.2
2500 $4.5695 $11423.75
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 15.8A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 190mOhm @ 7.9A, 10V
vgs(th) (max) à id 3.7V @ 790µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 38 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1350 pF @ 300 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 130W (Tc)
température de fonctionnement 150°C
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-3P(N)
paquet / étui TO-3P-3, SC-65-3
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Numéro de pièce associé

IPD14N06S280ATMA2
SQM110P06-8M9L_GE3
IRLR8256TRPBF
DMP6185SEQ-13
G3R160MT17J
PJQ5450_R2_00001
R6530ENZ4C13
R6530ENZ4C13
$0 $/morceau
SIHP28N65EF-GE3
SUM60020E-GE3
SUM60020E-GE3
$0 $/morceau

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