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SI1026X-T1-GE3

SI1026X-T1-GE3

SI1026X-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6

non conforme

SI1026X-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.16642 -
6,000 $0.15628 -
15,000 $0.14614 -
30,000 $0.13904 -
75,000 $0.13830 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 60V
courant - consommation continue (id) à 25°c 305mA
rds activé (max) à id, vgs 1.4Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 0.6nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 30pF @ 25V
puissance - max 250mW
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui SOT-563, SOT-666
package d'appareils du fournisseur SC-89 (SOT-563F)
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Numéro de pièce associé

AOSD32334C
DMN3032LFDB-13
FDMS7606
NTMFD5C466NLT1G
NTMFD5C466NLT1G
$0 $/morceau
SH8K25GZ0TB
SH8K25GZ0TB
$0 $/morceau
RM2003
RM2003
$0 $/morceau
APTM10TAM09FPG
APTC60BBM24T3G
SIR770DP-T1-GE3
NTHD3102CT1G
NTHD3102CT1G
$0 $/morceau

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