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SUM10250E-GE3

SUM10250E-GE3

SUM10250E-GE3

MOSFET N-CH 250V 63.5A D2PAK

non conforme

SUM10250E-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
800 $1.81825 $1454.6
1,600 $1.70396 -
2,400 $1.62396 -
5,600 $1.56681 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 250 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 63.5A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 7.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 31mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 88 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 3002 pF @ 125 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 375W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-263 (D²Pak)
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

NTGS3441BT1G
NTGS3441BT1G
$0 $/morceau
IPA60R190C6XKSA1
2N7002,235
2N7002,235
$0 $/morceau
PSMN2R0-25MLDX
IXTQ50N25T
IXTQ50N25T
$0 $/morceau
DN3765K4-G
DN3765K4-G
$0 $/morceau
NVH4L020N090SC1
NVH4L020N090SC1
$0 $/morceau
IRF2907ZPBF
VN0106N3-G-P003
RQ5E050ATTCL
RQ5E050ATTCL
$0 $/morceau

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